(資料圖)
英特爾公司近日宣布,已獲得美國能源部約1220萬元人民幣的資助,用于研發(fā)能應(yīng)對2000W以上功耗的下一代數(shù)據(jù)中心散熱技術(shù)。據(jù)悉,數(shù)據(jù)中心耗電量約占全美2%,其中冷卻散熱部分最多占數(shù)據(jù)中心耗電量的40%。隨著性能的不斷提升,當(dāng)前散熱技術(shù)只能應(yīng)對1000W左右功耗,無法滿足未來需求。在未來三年合同期內(nèi),英特爾將與科研機構(gòu)和行業(yè)領(lǐng)袖合作,開發(fā)創(chuàng)新的浸沒式散熱技術(shù),包括3D真空腔均熱技術(shù)等,并提供散熱測試平臺及形態(tài)規(guī)格定義。與此同時,英特爾還將針對性地研發(fā)下一代處理器,優(yōu)化散熱和能效,提高兩相浸沒式散熱系統(tǒng)的效率至少2.5倍,達到0.01℃/W。