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據(jù)了解,三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的高級(jí)管理人員最近在一個(gè)電子工程師協(xié)會(huì)的夏季會(huì)議上宣布,到2030年,V-NAND能夠疊加到1000多層。三星預(yù)測(cè),V-NAND的競(jìng)爭(zhēng)將持續(xù)到1000層以上。三星從2013年開始推出24層的V-NAND,十年來已經(jīng)發(fā)展到200多層。 值得一提的是,三星最初推出的V-NAND每個(gè)die的容量有128Gb(16GB),通過3D堆疊技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)最多24層die堆疊,也就是說,24層堆疊的總?cè)萘繉⑦_(dá)到384GB。 三星的高管表示,正因?yàn)橛蠽-NAND的存在,才使得NAND的歷史能夠得以延續(xù),這是韓國(guó)國(guó)家創(chuàng)造技術(shù)和生態(tài)系統(tǒng)的成功事例之一。他們還認(rèn)為,要推動(dòng)1000層的NAND技術(shù),就像建設(shè)摩天大樓一樣,需要考慮坍塌、彎曲、斷裂等多方面的穩(wěn)定性問題,同時(shí)還需要克服連接孔加工工藝、最小化電池干擾、縮短層高以及擴(kuò)大每層存儲(chǔ)容量等挑戰(zhàn)。