truddr4內(nèi)存和ddr4的區(qū)別 對內(nèi)存影響較大的延遲有哪些|世界新消息

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1，truddr4內(nèi)存和ddr4的區(qū)別：內(nèi)存得速度上除了工作頻率外，還有內(nèi)存的各種延遲，一般來說，延遲越小內(nèi)存性能越好。對內(nèi)存影響較大得延遲有CommandRate，CAS,TRCD,TRP,TRAS。在同樣都是2200MHz的工作頻率下，DDR4代的各項延遲能被設(shè)置的更小，性能當(dāng)然也比DDR3高。另外，DDR4代內(nèi)存的制成要比DDR3代進(jìn)步，發(fā)熱也比DDR3代的低。值得說得是，在整機(jī)中并不是內(nèi)存的性能越好越好。因為在整機(jī)中還存在各個配件的數(shù)據(jù)交換帶寬，比如說前端總線等。若前端總線為1800MHz那么只要800MHz的雙通道內(nèi)存或1600MHz的單通道內(nèi)存就夠了，比這還高的內(nèi)存不能完全發(fā)揮他的性能。這也是Inter在新的Nehalem構(gòu)架中拋棄FSB總線而采用更高速的QPI總線的原因。

本文到此結(jié)束，希望對大家有所幫助。

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