華為公開半導(dǎo)體技術(shù)專利 可提高器件輸出電阻進而提升開關(guān)比

企查查 App 顯示,日前,華為技術(shù)有限公司公開 “石墨烯場效應(yīng)晶體管”專利,公開號為 CN110323266B。

IT之家了解到,專利摘要顯示,該申請?zhí)峁┮环N石墨烯場效應(yīng)晶體管,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,可提高器件輸出電阻,從而提高開關(guān)比。一種石墨烯場效應(yīng)晶體管,包括:襯底、第一柵電極、第二柵電極、第一柵介質(zhì)層、第二柵介質(zhì)層、溝道層以及源電極和漏電極。

此外,溝道層的材料包括 AB 堆垛雙層石墨烯或者 AB 堆垛多層石墨烯;第一柵電極和第一柵介質(zhì)層設(shè)置于溝道層的一側(cè),第二柵電極和第二柵介質(zhì)層設(shè)置于溝道層的另一側(cè);第一柵電極包括多個間隔設(shè)置的第一子電極以及第一連接子電極;第一子電極的延伸方向與源電極和漏電極的間距方向交叉,第一連接子電極與溝道層在襯底上的投影無交疊;第一子電極和第二柵電極用于向溝道層提供垂直于溝道層的縱向電場。

推薦DIY文章
2022款iPadPro將可使用視頻編輯軟件達芬奇 使用軟件更專業(yè)
蘋果全新推出AppleTV 4K產(chǎn)品:流式傳輸可以千兆以太網(wǎng)進行
智己L7SnakePerformance高性能版:新車瞄準(zhǔn)數(shù)秒級圈速提升
閃迪大師PRO-G40SSD外置固態(tài)硬盤:兼具極速傳輸與耐用優(yōu)點
i9版ThinkBook14+/16+新品有望下月上市 首發(fā)約4999元起
512G M.2固態(tài)只要219元!沃存殺瘋了-環(huán)球快消息
精彩新聞

超前放送