T-FORCE成功打造DDR5超頻內(nèi)存 電壓調(diào)整空間更大運(yùn)算更強(qiáng)大

根據(jù)十銓官方的消息，十銓科技在完成標(biāo)準(zhǔn)型 DDR5 U-DIMM 及 SO-DIMM 并與板廠合作驗(yàn)證后，宣布進(jìn)程有嶄新突破：旗下 T-FORCE 品牌成功打造出 DDR5 超頻內(nèi)存，并第一時(shí)間送樣華碩、華擎、微星、技嘉等四大板廠相關(guān)部門進(jìn)行超頻能力測試合作。

IT之家了解到，DDR5 超頻內(nèi)存在升級 PMIC(Power Management IC)后擁有更大幅度的電壓調(diào)整空間，開發(fā)階段進(jìn)入到超頻后，此 PMIC 可提供 2.6V 以上的電壓增加內(nèi)存高頻驅(qū)動(dòng)能力。在 DDR5 以前的世代，電壓轉(zhuǎn)換是由主板控制，而進(jìn)入到 DDR5 后將組件移至內(nèi)存本身，電壓轉(zhuǎn)換將由內(nèi)存處理，不僅減少電壓損耗，還可減少噪聲產(chǎn)生，讓超頻空間相比于過去能擁有更大幅度的提升，帶來更強(qiáng)大的運(yùn)算能力。

十銓科技表示，T-FORCE 將承襲 DDR4 時(shí)期強(qiáng)大的品牌技術(shù)力量，持續(xù)探索 DDR5 的超頻途徑，創(chuàng)造超越上一世代內(nèi)存的表現(xiàn)，提升應(yīng)用運(yùn)作的可靠程度。

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