數(shù)據(jù)超過DDR4內(nèi)存多達(dá)一倍 三星成功開發(fā)HKMG工藝DDR5內(nèi)存

據(jù)外媒 HPCwire 消息，三星電子 宣布成功開發(fā)了單條容量 512GB 的 DDR5 模組，使用了 High-K Metal Gate (HKMG) 工藝，可以提供超過 DDR4 內(nèi)存一倍的表現(xiàn)，達(dá)到 7200Mb/s。三星表示，新款內(nèi)存可以用于超級計(jì)算機(jī)、人工智能運(yùn)算、數(shù)據(jù)分析等領(lǐng)域。

IT之家了解到，HKMG 技術(shù)目前僅應(yīng)用于 GDDR6 顯存芯片，能夠使用新的金屬材料作為芯片中的絕緣層，減少漏電流，使得能耗降低 13%。三星這項(xiàng)技術(shù)在 DDR5 內(nèi)存顆粒的應(yīng)用，進(jìn)一步確立了該品牌的領(lǐng)先地位。

除此之外，三星還利用了 TSV 硅通孔技術(shù)，堆疊 8 層 16Gb DRAM 芯片，因此可以實(shí)現(xiàn) DDR5 內(nèi)存 512GB 的最大容量。

三星電子內(nèi)存部門副總裁 Young-Soo Sohn 表示，“三星是目前全球唯一一家能夠使用 HKMG 技術(shù)制造內(nèi)存芯片的半導(dǎo)體廠商。這種工藝引入 DRAM 制造，三星可以為客戶提供高能效的內(nèi)存解決方案。”

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